China entwickelt auf ungewöhnliche Weise den schnellsten Halbleiter der Welt

Einem Forschungsteam unter der Leitung von Professor Peng Hailin und Qiu Chenguang von der Peking-Universität ist es gelungen, einen zweidimensionalen (2D) GAAFET-Transistor zu entwickeln, der als der weltweit erste Transistor mit geringem Stromverbrauch gilt. Ihre Forschungsergebnisse wurden in der Fachzeitschrift Nature veröffentlicht und von vielen Teammitgliedern als „großer Durchbruch“ bezeichnet.

China versucht, den Auswirkungen der US-Sanktionen zu entgehen.

Der Ankündigung zufolge hat das Team eine mehrschichtige gestapelte 2D-GAA-Konfiguration aus Einkristallen im Wafermaßstab hergestellt. „Dies ist der schnellste und effizienteste Transistor aller Zeiten“, sagte Professor Peng. Er verglich die Entwicklung von Transistoren auf Basis von 2D-Materialien außerdem mit einem „Spurwechsel“, während Verbesserungen auf Basis vorhandener Materialien lediglich „Abkürzungen“ seien.

Die GAAFET-Transistoren des Teams wurden im Vergleich zu Produkten großer Unternehmen wie Intel, TSMC und Samsung getestet. Die Ergebnisse zeigten eine bessere Leistung unter ähnlichen Betriebsbedingungen. GAAFETs oder Gate-All-Around-Feldeffekttransistoren sind nach MOSFETs und FINFETs der nächste Evolutionsschritt in der Transistortechnologie. Diese Innovation beruht hauptsächlich auf der Möglichkeit, die Stromversorgung und die Portkommunikation besser zu steuern.

Waffen helfen China bei der Herstellung spezieller Halbleiter

Der Höhepunkt der Forschung der Peking-Universität ist die Verwendung von Wismutoxyselenid (Bi₂O₂Se) – einem 2D-Halbleitermaterial, das im kleinen Maßstab flexibler und stärker als Silizium ist. Die Umstellung von Silizium auf Wismut bietet nicht nur Potenzial für die Halbleiterindustrie, sondern macht China in diesem Sektor auch wettbewerbsfähiger, insbesondere vor dem Hintergrund des anhaltenden Handelskriegs zwischen den USA und China.

China richtet 47,5 Milliarden Dollar schweren Fonds zur Förderung der Halbleiterindustrie ein

China investiert massiv in die technologische Forschung, um die derzeitigen Beschränkungen zu überwinden und nicht nur aufzuholen, sondern in der Halbleiterindustrie die Führung zu übernehmen. Auch wenn 2D-GAAFET-Transistoren möglicherweise nicht die einzige Zukunft der Halbleiterherstellung darstellen, zeigt diese Forschung doch die Innovationskraft und das Potenzial der jungen Generation Chinas, die Technologiebranche voranzutreiben. Während die USA weiterhin Handelsverbote verhängen, kämpft Chinas Technologiebranche um die Durchsetzung ihrer Position.

Quelle: https://thanhnien.vn/trung-quoc-tao-chat-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-theo-cach-la-thuong-18525031510065426.htm