ChangXin Memory Technologies (CXMT) gab bekannt, dass es Chinas ersten fortschrittlichen Dual Data Rate DRAM (LPDDR5)-Speicherchip erfolgreich produziert habe, der der Speicherchip-Generation ähnelt, die Samsung Electronics 2018 auf den Markt brachte.

Der Durchbruch erfolgt zu einer Zeit, in der die USA ihre Hochtechnologieexporte einschränken, um Pekings Entwicklung im Halbleitersektor zu behindern.

China war bislang der Zugriff auf wichtige High-End-Lithografiesysteme von ASML und einigen Zulieferern aus Japan verwehrt.

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Der DRAM von CXMT gilt als ebenso leistungsstark wie das 2018 eingeführte Samsung-Produkt.

Laut dem in Hefei ansässigen Unternehmen CXMT wird eines seiner Produkte, eine 12-Gigabyte-Version (GB), von chinesischen Smartphone-Unternehmen wie Xiaomi und Transsion verwendet.

Das Unternehmen gibt an, dass der neue Speicherchip im Vergleich zum vorherigen stromsparenden DDR4X eine Verbesserung der Datenübertragungsgeschwindigkeit und -kapazität um 50 Prozent bietet und gleichzeitig den Stromverbrauch um 30 Prozent senkt.

Zuvor überraschte der chinesische Technologieriese Huawei Technologies die Welt mit seinem Smartphone-Modell Mate 60 Pro, das mit hochmodernen, im Inland produzierten Chips ausgestattet war.

Analyseberichte von Drittanbietern kommen zu dem Schluss, dass der Chip von Chinas führender Chip-Gießerei, SMIC, hergestellt werden könnte.

Diese Woche kündigte Loongson, ein auf die Entwicklung von CPU-Chips spezialisiertes Unternehmen, außerdem den 3A6000-Chip an, dessen Leistung der der Intel-CPUs des Jahres 2020 entspricht.

CXMT wurde 2016 gegründet und ist Chinas beste Hoffnung, auf dem globalen DRAM-Markt zu den südkoreanischen Speicherchip-Giganten wie Samsung Electronics und SK Hynix sowie Micron Technology aufzuschließen.

Samsung stellte 2018 den branchenweit ersten 8-GB-LPDDR5-Chip vor und aktualisierte ihn 2021 auf einen 16-GB-LPDDR5X-Chip, der auf einem 14-nm-Prozess basiert und Datenverarbeitungsgeschwindigkeiten von bis zu 8.500 Megabit pro Sekunde liefert, 1,3-mal schneller als die vorherige Generation.

SK Hynix begann im März 2021 mit der Massenproduktion von LPDDR5-Mobil-DRAM, während Micron Anfang 2020 LPDDR5-Chips ankündigte, die angeblich im Smartphone Mi 10 von Xiaomi zum Einsatz kommen sollen.

Nach den im Oktober aktualisierten neuen US-Vorschriften stehen eine Reihe wichtiger Chip-Gießerei-Geräte, darunter Lithografie-, Ätz-, Abscheidungs-, Implantations- und Reinigungsgeräte, auf der Liste der Exportbeschränkungen. Dadurch wird die Halbleiter-Produktionskapazität Pekings auf das niedrigste Niveau begrenzt: etwa 14 nm für Logikchips, 18 nm Half-Pitch für DRAM oder kleiner und 128 Schichten für 3D-NAND-Speicherchips.

(Laut SCMP)

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