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TSMC construit deux nouvelles usines pour produire des puces de 2 nm

Báo Thanh niênBáo Thanh niên22/01/2024


Selon Tech News Space , le PDG de TSMC, Mark Liu, a partagé les plans de l'entreprise lors d'une récente réunion avec des analystes et des investisseurs, exprimant sa confiance dans le fait que la production de masse de puces utilisant la technologie de processus 2 nm commencera dès 2025. Il a mentionné l'intention de TSMC d'établir plusieurs installations de fabrication dans le parc scientifique de Hsinchu et à Kaohsiung (Taïwan) pour répondre à la demande croissante.

TSMC xây hai nhà máy mới để sản xuất chip 2nm- Ảnh 1.

TSMC vise à produire en masse des puces de 2 nm au second semestre 2025

Plus précisément, la première usine sera située près de Baoshan (Hsinchu), à proximité du centre de recherche R1 - un lieu spécifiquement créé pour développer la technologie 2 nm. L'usine devrait commencer la production de masse de semi-conducteurs de 2 nm au cours du second semestre 2025. Une deuxième usine, également conçue pour produire des puces de 2 nm, sera située dans le parc scientifique de Kaohsiung, qui fait partie du parc scientifique du sud de Taiwan, et devrait commencer ses opérations en 2026.

En outre, des préparatifs sont en cours pour la construction d’une troisième usine, qui débutera après que l’entreprise aura reçu l’approbation des autorités taïwanaises.

De plus, TSMC travaille activement pour obtenir l’approbation des autorités de Taïwan pour construire une autre usine dans le parc scientifique de Taichung. Si la construction de l'usine commence en 2025, la production débutera en 2027. En ouvrant les trois usines capables de produire des puces utilisant la technologie 2 nm, TSMC renforcera considérablement sa position sur le marché mondial des semi-conducteurs et offrira à ses clients une nouvelle capacité pour produire des puces de nouvelle génération.

Les plans à court terme de la société incluent le démarrage de la production de masse avec la technologie de processus 2 nm, la société visant à utiliser des transistors à grille tout autour (GAA) de type nanofeuille au cours du second semestre 2025. Une version améliorée du processus attendue en 2026 intégrera l'alimentation à l'arrière de la puce, augmentant ainsi les capacités de production de masse.



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