Une équipe de recherche dirigée par le professeur Peng Hailin et Qiu Chenguang de l'Université de Pékin a développé avec succès un transistor GAAFET bidimensionnel (2D), considéré comme le premier transistor basse consommation au monde. Les résultats de leurs recherches ont été publiés dans la revue Nature , et de nombreux membres de l’équipe les ont qualifiés d’« énorme avancée ».
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Selon l'annonce, l'équipe a fabriqué une configuration GAA 2D monocristalline empilée multicouche à l'échelle de la plaquette. « C’est le transistor le plus rapide et le plus efficace jamais créé », a déclaré le professeur Peng. Il a également comparé le développement de transistors basés sur des matériaux 2D à un « changement de voie », tandis que les améliorations basées sur des matériaux existants ne sont que des « raccourcis ».
Les transistors GAAFET de l'équipe ont été testés par rapport à des produits de grandes entreprises telles qu'Intel, TSMC et Samsung, avec des résultats montrant des performances supérieures dans des conditions de fonctionnement similaires. Les GAAFET, ou transistors à effet de champ à grille tout autour, constituent la prochaine étape évolutive de la technologie des transistors, après les MOSFET et les FINFET. Cette innovation vient principalement de la possibilité de mieux contrôler l’alimentation et la communication portuaire.
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Le point culminant de la recherche de l'Université de Pékin est l'utilisation de l'oxyséléniure de bismuth (Bi₂O₂Se) - un matériau semi-conducteur 2D plus flexible et plus résistant que le silicium à petite échelle. Le passage du silicium au bismuth offre non seulement un potentiel pour l’industrie des semi-conducteurs, mais rend également la Chine plus compétitive dans le secteur, en particulier dans le contexte de la guerre commerciale en cours entre les États-Unis et la Chine.
La Chine crée un fonds de 47,5 milliards de dollars pour stimuler l'industrie des semi-conducteurs
La Chine investit massivement dans la recherche technologique pour surmonter les limitations actuelles, non seulement pour rattraper son retard mais aussi pour devenir leader dans l’industrie des semi-conducteurs. Bien que les transistors 2D GAAFET ne soient peut-être pas le seul avenir de la fabrication de semi-conducteurs, cette recherche démontre l'innovation et le potentiel de la jeune génération chinoise pour stimuler l'industrie technologique. Alors que les États-Unis continuent d’imposer des interdictions commerciales, l’industrie technologique chinoise est engagée dans une course contre la montre pour affirmer sa position.
Source : https://thanhnien.vn/trung-quoc-tao-chat-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-theo-cach-la-thuong-18525031510065426.htm
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