베이징 대학의 펭 하이린(Peng Hailin) 교수와 추 천광(Qiu Chenguang) 교수가 이끄는 연구팀은 세계 최초의 저전력 트랜지스터로 간주되는 2차원(2D) GAAFET 트랜지스터를 성공적으로 개발했습니다. 이들의 연구 결과는 Nature 저널에 게재되었고, 팀의 많은 구성원들은 이를 "엄청난 혁신"이라고 불렀습니다.
중국은 미국 제재의 영향에서 벗어나려고 노력하고 있다.
해당 발표에 따르면, 연구팀은 웨이퍼 규모에서 다층 적층 단결정 2D GAA 구성을 제작했습니다. 펭 교수는 "이것은 지금까지 가장 빠르고 효율적인 트랜지스터입니다."라고 말했습니다. 그는 또한 2D 소재를 기반으로 한 트랜지스터 개발을 "차선 변경"에 비유했고, 기존 소재를 기반으로 한 개선은 단지 "지름길"일 뿐이라고 말했습니다.
이 팀의 GAAFET 트랜지스터는 인텔, TSMC, 삼성 등 주요 기업의 제품과 비교 테스트를 거쳤으며, 유사한 작동 조건에서 뛰어난 성능을 보였다는 결과가 나왔습니다. GAAFET, 즉 게이트-올-어라운드 전계 효과 트랜지스터는 MOSFET과 FINFET에 이어 트랜지스터 기술 분야에서 차세대 진화 단계입니다. 이러한 혁신은 주로 전력과 항구 통신을 보다 효과적으로 제어할 수 있는 능력에서 비롯되었습니다.
무기는 중국이 특수 반도체를 만드는 데 도움이 됩니다.
베이징 대학 연구의 하이라이트는 비스무트 옥시셀레나이드(Bi₂O₂Se)를 사용한 것입니다. 이는 작은 규모에서 실리콘보다 더 유연하고 강한 2D 반도체 소재입니다. 실리콘에서 비스무트로의 전환은 반도체 산업에 잠재력을 제공할 뿐만 아니라, 특히 현재 진행 중인 미중 무역 전쟁의 맥락에서 중국이 해당 부문에서 경쟁력을 강화할 수 있게 해줍니다.
중국, 반도체 산업 육성을 위해 475억 달러 기금 설립
중국은 현재의 한계를 극복하고 반도체 산업을 따라잡는 것뿐만 아니라 선도하기 위해 기술 연구에 막대한 투자를 하고 있습니다. 2D GAAFET 트랜지스터가 반도체 제조의 유일한 미래는 아니지만, 이 연구는 중국의 젊은 세대가 기술 산업을 주도할 수 있는 혁신과 잠재력을 보여준다. 미국이 무역 금지 조치를 계속하는 동안 중국의 기술 산업은 자신의 입장을 주장하기 위해 시간과의 경쟁을 벌이고 있습니다.
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출처: https://thanhnien.vn/trung-quoc-tao-chat-ban-dan-nhanh-nhat-the-gioi-theo-cach-la-thuong-18525031510065426.htm
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