サムスン元社員、中国に技術を漏洩した罪で有罪判決

Wccftechによると、ソウル中央地方裁判所は、サムスン元チームマネージャーを製造技術を他国に漏洩した罪で有罪判決を下した。具体的には、この人物は18nm DRAMの製造プロセスに関する機密情報を中国のメモリメーカーであるCXMTに転送しました。

サムスンが2012年から2016年にかけて開発した18nm DRAM技術が他国に流出したとされる。

写真: WCCFTECH スクリーンショット

裁判所は、サムスンが18nm DRAMチップの開発と量産に何年もの歳月と莫大な費用を投資してきたことを強調した。この技術の漏洩はサムスンに深刻な経済的損失をもたらしただけでなく、韓国の技術安全保障にも影響を与えた。これは同国の半導体業界における最大の技術漏洩の一つと考えられている。

関係者によると、サムスンの元従業員は地位を利用して重要な文書を収集し、CXMTに移送していたという。個人が私的利益のために技術秘密を漏洩することは、半導体分野での中国との競争で韓国を不利に陥れる可能性がある危険な行為とみなされている。

一方、CXMTは最近DDR5技術を開発中と言われており、中国国内市場に製品を投入した。 MSI を含むいくつかのマザーボードメーカーが CXMT のメモリモジュールのサポートを開始しており、同社が徐々に市場シェアを獲得していることを示しています。

CXMT が実際に技術漏洩から直接利益を得たかどうかについてはまだ明確な証拠はないが、韓国の裁判所による厳しい判決は、サムスンだけでなく世界の半導体業界全体にとって技術窃盗の重大さを示している。

出典: https://thanhnien.vn/cuu-nhan-vien-samsung-bi-ket-an-vi-ro-ri-cong-nghe-cho-trung-quoc-185250221230411859.htm