Selon TomsHardware , lors de l'événement Investor Day (USA) qui s'est tenu la semaine dernière, Sandisk a présenté la plate-forme UltraQLC, une technologie qui joue un rôle important dans le développement de SSD avec des capacités allant jusqu'à 1 pétaoctet (Po). UltraQLC n'est pas un type de mémoire autonome mais une combinaison de BICS 8 QLC 3D NAND, d'un contrôleur avec 64 canaux NAND et d'un logiciel optimisé.
Les contrôleurs jouent un rôle essentiel dans cette plateforme, intégrant des accélérateurs matériels spécialisés qui réduisent la latence, augmentent la bande passante et améliorent la fiabilité. De plus, il peut ajuster la consommation d'énergie en fonction des besoins de traitement, optimisant ainsi l'efficacité énergétique.
UltraQLC combine BICS 8 QLC 3D NAND, un contrôleur 64 canaux et un logiciel optimisé, permettant aux capacités SSD d'augmenter jusqu'à 1 pétaoctet sans sacrifier les performances.
Selon Sandisk, les premiers SSD UltraQLC utiliseront des puces de mémoire NAND de 2 térabits (To), permettant d'obtenir des disques d'une capacité de 128 téraoctets (To). À l’avenir, avec l’avènement de puces NAND de plus grande capacité, la société vise à développer des SSD de 256 To, 512 To et éventuellement 1 Po. Cependant, l’augmentation de la capacité implique un risque de dégradation des performances, un problème que Sandisk doit résoudre pour garantir la stabilité du système.
Outre UltraQLC, Sandisk a également mentionné une autre technologie importante : la DRAM 3D. Alors que les besoins en mémoire continuent de croître en raison du développement de l'intelligence artificielle (IA) et des grands modèles linguistiques (LLM), la société estime que la méthode d'extension DRAM traditionnelle ne répond plus aux exigences. Cependant, malgré des recherches à long terme, Sandisk admet qu'il n'existe toujours pas de feuille de route claire pour la DRAM 3D en raison des énormes défis technologiques.
Au lieu de se concentrer sur la DRAM 3D, Sandisk étudie des alternatives comme la mémoire flash haute performance (HBF), qui augmente l'évolutivité de la mémoire sans s'appuyer sur des méthodes traditionnelles. Parallèlement, d’autres approches telles que l’investissement massif dans la production de DRAM ou le développement de DRAM dans le sens 3D sont toujours envisagées mais ne sont pas réalisables à l’heure actuelle.
Source : https://thanhnien.vn/ssd-1-petabyte-sap-thanh-hien-thuc-18525021810392021.htm
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