Samsung Electronics 'ร่วมมือ' กับญี่ปุ่นเพื่อขยายการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

นี่เป็นความคิดริเริ่มเชิงสัญลักษณ์เพื่อส่งเสริมความร่วมมือระหว่างญี่ปุ่นและเกาหลีใต้ในอุตสาหกรรมนี้

ทั้งนี้ สิ่งอำนวยความสะดวกใหม่นี้จะมีมูลค่าสูงกว่า 30,000 ล้านเยน (222 ล้านดอลลาร์สหรัฐฯ) โดยคาดว่าจะตั้งอยู่ในโยโกฮามา ทางตะวันตกเฉียงใต้ของโตเกียว ซึ่งเป็นสำนักงานใหญ่ปัจจุบันของสถาบันวิจัยและพัฒนา Samsung ประจำประเทศญี่ปุ่นด้วย

Samsung เชื่อว่าจำเป็นต้องร่วมมือกันอย่างใกล้ชิดมากขึ้นกับผู้ผลิตวัสดุและอุปกรณ์ในญี่ปุ่นเพื่อให้เกิดความก้าวหน้าในกระบวนการผลิตเซมิคอนดักเตอร์

Samsung เป็นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำรายใหญ่ที่สุดในโลก ในขณะที่ญี่ปุ่นเป็นผู้ผลิตชั้นนำด้านวัตถุดิบพื้นฐานในเซมิคอนดักเตอร์ เช่น เวเฟอร์และอุปกรณ์การหล่อ

โรงงานแห่งใหม่นี้มีเป้าหมายที่จะเริ่มเปิดดำเนินการได้ภายในปี 2568 บริษัท Samsung กำลังมองหาวิธีใช้ประโยชน์จากเงินอุดหนุนมูลค่ารวมกว่า 10,000 ล้านเยนสำหรับภาคส่วนเซมิคอนดักเตอร์ที่รัฐบาลญี่ปุ่นเสนอให้

การเคลื่อนไหวของบริษัทที่มีมูลค่าสูงที่สุดของเกาหลีใต้อาจกระตุ้นให้เกิดความร่วมมือมากขึ้นระหว่างอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ของทั้งสองประเทศ

การลงทุนดังกล่าวเกิดขึ้นทันทีหลังจากความร่วมมือใหม่ระหว่างโซลและโตเกียว ซึ่งนำโดยประธานาธิบดีเกาหลีใต้ ยุน ซอก ยอล และนายกรัฐมนตรีญี่ปุ่น ฟูมิโอะ คิชิดะ คาดว่าผู้นำทั้งสองจะพบกันข้างการประชุมสุดยอด G7 ที่เมืองฮิโรชิม่าในสัปดาห์หน้า

TSMC ซึ่งเป็นคู่แข่งรายใหญ่ของ Samsung ก็ได้ลงทุนครั้งใหญ่ในญี่ปุ่นในปี 2021 ด้วยการกระจายฐานการผลิตท่ามกลางความกังวลเกี่ยวกับการกระจุกตัวของการผลิตชิปมากเกินไปในไต้หวัน TSMC ยังมีศูนย์วิจัยและพัฒนาในเมืองสึกุบะ ทางตะวันออกเฉียงเหนือของโตเกียวอีกด้วย

ญี่ปุ่นซึ่งเคยเป็นผู้นำระดับโลกด้านการผลิตชิปหน่วยความจำ กำลังพยายามสร้างฐานการผลิตขึ้นใหม่โดยดึงดูดการลงทุนจากต่างชาติ TSMC และ Micron Technology เป็นนักลงทุนต่างชาติรายใหญ่ในญี่ปุ่นและได้รับเงินอุดหนุนจากรัฐบาล

โรงงานแห่งใหม่ของ Samsung จะเน้นที่การผลิตเซมิคอนดักเตอร์ส่วนหลังโดยเฉพาะการบรรจุเวเฟอร์ที่ถูกผสานเข้ากับแผงวงจรในผลิตภัณฑ์ขั้นสุดท้าย

โดยทั่วไป งานวิจัยและพัฒนาจะมุ่งเน้นไปที่ขั้นตอนเริ่มต้นของกระบวนการผลิตเพื่อย่อขนาดวงจรให้ได้มากที่สุด แต่หลายคนเชื่อว่าการย่อส่วนเพิ่มเติมยังมีข้อจำกัด และจุดเน้นจะเปลี่ยนไปที่การปรับปรุงกระบวนการแบ็กเอนด์ เช่น การวางเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์ซ้อนกันเป็นหลายชั้นเพื่อสร้างชิป 3 มิติ

(อ้างอิงจาก NikkeiAsia)

แหล่งที่มา