سامسونج تبدأ الإنتاج الضخم لذاكرة DDR5 DRAM بتقنية 12 نانومتر

وبحسب موقع Devdiscourse ، فإن ذاكرة DRAM الجديدة للشركة ستستهدف تطبيقات الذكاء الاصطناعي ذات الأداء العالي. وتقول شركة سامسونج إن أحدث ذاكرات DDR5 DRAM بتقنية 12nm تقدم مزايا كبيرة مقارنة بالجيل السابق، بما في ذلك خفض استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 23% وزيادة إنتاج الرقاقة بنسبة تصل إلى 20%، مما يجعلها الخيار الأمثل لشركات تكنولوجيا المعلومات العالمية التي تتطلع إلى تقليل استخدام الطاقة والبصمة الكربونية لخوادمها ومراكز البيانات الخاصة بها.

تَعِد ذاكرة DDR5 DRAM بتقنية 12nm بتقديم فوائد رائعة

أصبح تطوير تقنية 12 نانومتر ممكنًا بفضل استخدام مواد جديدة تعمل على زيادة سعة الخلية، مما يؤدي إلى اختلافات كبيرة في الجهد في إشارات البيانات ويجعل من السهل التمييز بينها بدقة. وبالإضافة إلى ذلك، فإن جهود الشركة لتقليل الضوضاء والجهد التشغيلي توفر لعملاء الخوادم حلاً مثاليًا.

وقال نائب الرئيس التنفيذي لمنتجات DRAM في شركة سامسونج، جويونج لي، إن DRAM الجديدة تعكس التزام الشركة المستمر بقيادة سوق DRAM، ليس فقط من خلال المنتجات عالية الأداء وعالية السعة التي تلبي احتياجات سوق الحوسبة للمعالجة على نطاق واسع، ولكن أيضًا من خلال تسويق حلول الجيل التالي التي تدعم إنتاجية أعلى.

توفر سلسلة DDR5 DRAM 12nm من Samsung سرعة قصوى مذهلة تبلغ 7.2 جيجابت في الثانية، مما يسمح بمعالجة فيلم UHD بحجم 30 جيجابايت في حوالي ثانية واحدة فقط. وتجعل هذه السرعة الاستثنائية الجهاز مناسبًا لمجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك مراكز البيانات، والذكاء الاصطناعي، والحوسبة من الجيل التالي.

رابط المصدر: https://thanhnien.vn/samsung-bat-dau-san-xuat-hang-loat-dram-ddr5-12nm-185230518144342623.htm