Galaxy S25 Plus будет оснащен чипом Snapdragon 8 Elite

S25 Plus — одна из трех флагманских моделей, которые Samsung представит пользователям в начале 2025 года. Недавно был опубликован ряд сведений о продукте.

Совсем недавно в Geekbench появился S25 Plus с чипом Snapdragon 8 Elite, показавший впечатляющие результаты. Этот показатель обещает значительное повышение производительности по сравнению с предшественником Galaxy S24 Plus.

Galaxy S25 Plus будет оснащен чипом Snapdragon 8 Elite

Соответственно, S25 Plus набрал впечатляющие 3160 баллов в одноядерном тесте и 9941 балл в многоядерном тесте. Этот результат значительно выше, чем в предыдущем тесте, когда S25 набрал 2481 и 8658 баллов в тех же тестах.

Производительность S25 Plus даже близка к эталонному чипу Qualcomm Snapdragon 8 Elite, что демонстрирует стремление Samsung максимально раскрыть потенциал чипа.

В списке Geekbench подтверждается наличие чипсета Snapdragon 8 Elite для Galaxy с тактовой частотой 4,47 ГГц (по сравнению с 4,32 ГГц у стандартной версии).

По слухам, Samsung Galaxy S25 Plus получит чистую заднюю панель с вертикальным расположением трех камер, но с небольшими изменениями. Ожидается, что блок задней камеры будет иметь дизайн с более толстой черной рамкой вокруг объектива.

Ожидается, что S25 Plus будет оснащен 6,7-дюймовым дисплеем LTPO с адаптивной частотой обновления от 1 Гц до 120 Гц. По размерам телефон может немного отличаться от S24 Plus — около 158,4 x 75,7 x 7,3 мм, и может быть примерно на 0,44 мм тоньше своего предшественника.

По данным источника Ice Universe, Galaxy S25 Plus будет оснащен аккумулятором емкостью 4900 мАч, как и его предшественник. По слухам, устройство будет иметь 12 ГБ оперативной памяти и не менее 256 ГБ встроенной памяти.

Ожидается, что серия S25 будет запущена 22 или 23 января 2025 года.

Источник: https://kinhtedothi.vn/galaxy-s25-plus-se-duoc-trang-bi-chip-snapdragon-8-elite.html