ChangXin Memory Technologies (CXMT) a déclaré avoir produit avec succès la première puce mémoire DRAM à double débit de données avancé (LPDDR5) de Chine, similaire à la génération de puces mémoire lancée par Samsung Electronics en 2018.

Cette avancée intervient alors que les États-Unis restreignent leurs exportations de haute technologie pour entraver le développement de Pékin dans le secteur des semi-conducteurs.

Jusqu'à présent, la Chine n'a pas pu accéder aux principaux systèmes de lithographie haut de gamme d'ASML, ainsi qu'à certains fournisseurs japonais.

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La DRAM de CXMT est considérée comme aussi puissante que le produit Samsung lancé en 2018.

Selon CXMT, basé à Hefei, l'un de leurs produits, une version de 12 gigaoctets (Go), est utilisé par des sociétés chinoises de smartphones telles que Xiaomi et Transsion.

La société affirme que la nouvelle puce mémoire offre une amélioration de 50 % de la vitesse et de la capacité de transfert de données par rapport à sa précédente DDR4X basse consommation, tout en réduisant la consommation d'énergie de 30 %.

Auparavant, le géant technologique chinois Huawei Technologies avait surpris le monde avec son modèle de smartphone Mate 60 Pro équipé de puces avancées produites localement.

Des rapports d'analyse tiers concluent que la puce pourrait être fabriquée par le principal fondeur de puces de Chine, SMIC.

Cette semaine, Loongson, une société spécialisée dans le développement de puces de traitement central, a également annoncé la puce 3A6000 avec une puissance équivalente aux processeurs Intel de 2020.

Fondée en 2016, CXMT représente le meilleur espoir de la Chine de rattraper les géants sud-coréens des puces mémoire tels que Samsung Electronics et SK Hynix, ainsi que Micron Technology sur le marché mondial de la DRAM.

Samsung a présenté la première puce LPDDR5 de 8 Go du secteur en 2018 et l'a mise à jour vers une puce LPDDR5X de 16 Go basée sur un processus de 14 nm en 2021, offrant des vitesses de traitement de données allant jusqu'à 8 500 mégabits par seconde, soit 1,3 fois plus rapide que la génération précédente.

SK Hynix a commencé la production en masse de DRAM mobile LPDDR5 en mars 2021, tandis que Micron a annoncé les puces LPDDR5 début 2020, qui, selon elle, seraient utilisées dans le smartphone Mi 10 de Xiaomi.

En vertu de la nouvelle réglementation américaine mise à jour en octobre, une série d'équipements clés de fonderie de puces, notamment la lithographie, la gravure, le dépôt, l'implantation et le nettoyage, figurent tous sur la liste des restrictions d'exportation, limitant la capacité de production de semi-conducteurs de Pékin au niveau le plus bas, environ 14 nm pour les puces logiques, 18 nm demi-pas pour la DRAM ou plus petit, et 128 couches pour les puces de mémoire NAND 3D.

(Selon SCMP)

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