Các nguồn tin trước đó tiết lộ, Galaxy S25 Ultra có thể ra mắt độc quyền với Snapdragon 8 Gen 4 của Qualcomm.
Mới đây, phiên bản Galaxy S25 Ultra khóa mạng dành cho thị trường Mỹ (SM-S938U) đã xuất hiện trên phần mềm hiệu năng Geekbench. Theo đó, máy đath 3,096 điểm đơn nhân và 9,080 điểm đa nhân, thấp hơn so với Snapdragon 8 Gen 4 tiêu chuẩn trên OnePlus 13 đạt 3,296 điểm đơn nhân và 10,049 điểm đa nhân trong cùng bài kiểm tra.
Từ dữ liệu của Geekbench có thể thấy chip Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy trên S25 Ultra có xung nhịp thấp hơn Snapdragon 8 gen 4 thông thường. Hai lõi hiệu năng cao có xung nhịp chỉ 4.19 GHz trong khi xung nhịp của 6 lõi tiết kiệm chỉ là 2.90 GHz.
Rò rỉ trước đó cho thấy, máy có thiết kế phẳng hoàn toàn- đây là một sự thay đổi lớn về thiết kế khi flagship Galaxy sắp ra mắt có thể trông giống với các thiết bị Meizu gần đây với cạnh phẳng và các góc hơi bo tròn hơn so với S24 Ultra.
S25 Ultra sẽ sử dụng hệ thống 4 camera sau. Các camera bao gồm cảm biến chính 200MP, máy ảnh siêu rộng 12MP, camera tele 10MP hỗ trợ zoom quang học 3x và ống kính tiềm vọng 50MP hỗ trợ zoom quang học 5x. Cả hai máy ảnh tele đều có PDAF và OIS. Chiếc điện thoại này cũng được cho là sẽ sử dụng phiên bản mới của cảm biến JN1 1/2.76 inch cho camera góc siêu rộng, có độ phân giải 50 MP.
Samsung cũng sẽ giữ nguyên dung lượng pin của mẫu Galaxy S là 5,000 mAh cho S25 Ultra và được kỳ vọng sẽ được cài đặt sẵn giao diện người dùng OneUI 7 dựa trên hệ điều hành Android 15 khi ra mắt.
Nguồn: https://kinhtedothi.vn/galaxy-s25-ultra-dat-diem-hieu-nang-an-tuong.html
